STL12N60M2

制造商编号:
STL12N60M2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
规格说明书:
STL12N60M2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.04111 18.04
10 16.232026 162.32
100 13.050026 1305.00

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ M2
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 495 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 538 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 52W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™(5x6)HV
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 3,000

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STL12N60M2

型号:STL12N60M2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT

库存:0

单价:

1+: ¥18.04111
10+: ¥16.232026
100+: ¥13.050026
500+: ¥10.721691
1000+: ¥9.746961
3000+: ¥9.746899

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