库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1672.240564 | ￥1672.24 |
| 10 | ￥1601.568152 | ￥16015.68 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Transphorm |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 70A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 34 毫欧 @ 30A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 28nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2260pF @ 100V |
| 功率 - 最大值: | 470W |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 标准包装: | 1 |
TPD3215M
型号：TPD3215M
品牌：Transphorm
描述：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥1672.240564 |
| 10+： | ￥1601.568152 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1672.24