库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥47.212317 | ￥47212.32 |
| 1000 | ￥42.919316 | ￥42919.32 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 29A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 105 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 83.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2722 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 210W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | ¥81.10000 | 类似 |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | ¥82.56000 | 类似 |
STB36NM60N
型号：STB36NM60N
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
库存：0
单价：
| 1000+： | ￥47.212317 |
| 1000+： | ￥42.919316 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00