STP1N105K3

制造商编号:
STP1N105K3
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
规格说明书:
STP1N105K3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.895417 14.90
10 13.405875 134.06
100 10.779408 1077.94

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH3™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1050 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 欧姆 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP2N105K5 STMicroelectronics ¥17.28000 类似

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STP1N105K3

型号:STP1N105K3

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220

库存:0

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1+: ¥14.895417
10+: ¥13.405875
100+: ¥10.779408
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