1N5252B-T

制造商编号:
1N5252B-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE ZENER 24V 500MW DO35
规格说明书:
1N5252B-T说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 33 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5252BTR onsemi ¥1.23000 直接
1N5252B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.46000 类似
1N4749ATR onsemi ¥2.30000 类似
1N5252B (DO-35) Microchip Technology ¥12.44000 直接
1N4749A-T50A onsemi ¥0.46891 类似

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1N5252B-T

型号:1N5252B-T

品牌:Diodes美台

描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35

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