1N5402-E3/51

制造商编号:
1N5402-E3/51
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
规格说明书:
1N5402-E3/51说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 30pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -50°C ~ 150°C
标准包装: 1,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
HER503GP-TP Micro Commercial Co ¥3.92000 类似
1N5402G Rochester Electronics, LLC ¥3.61000 类似
1N5417 Microchip Technology ¥35.71000 类似
1N5402RLG onsemi ¥3.53000 类似
STTH3R02RL STMicroelectronics ¥4.76000 类似

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1N5402-E3/51

型号:1N5402-E3/51

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

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