库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 70A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 110nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 17-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | ISOPLUS-DIL™ |
| 标准包装: | 20 |
GWM70-01P2
型号：GWM70-01P2
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
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