货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥30.748219 | ¥30.75 |
10 | ¥27.596309 | ¥275.96 |
100 | ¥22.612809 | ¥2261.28 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 45A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.9V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 13.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1860pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 2.8W |
工作温度: | -55°C ~ 155°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerLDFN |
供应商器件封装: | 8-LSON(5x6) |
标准包装: | 250 |
CSD87355Q5DT
型号:CSD87355Q5DT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
库存:0
单价:
1+: | ¥30.748219 |
10+: | ¥27.596309 |
100+: | ¥22.612809 |
250+: | ¥21.452981 |
500+: | ¥19.249678 |
1000+: | ¥18.448521 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.75