STP26NM60N

制造商编号:
STP26NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
规格说明书:
STP26NM60N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 64.455627 64.46
10 57.854645 578.55
100 47.399007 4739.90

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 165 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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STP26NM60N

型号:STP26NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥64.455627
10+: ¥57.854645
100+: ¥47.399007
500+: ¥40.349496
1000+: ¥38.670193

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