IPP60R099C6XKSA1

制造商编号:
IPP60R099C6XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
规格说明书:
IPP60R099C6XKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 77.722246 77.72
10 70.232264 702.32
100 58.142482 5814.25

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 99 毫欧 @ 18.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 119 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2660 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 278W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOT42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥49.69000 类似
FCP104N60F onsemi ¥36.71000 类似

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IPP60R099C6XKSA1

型号:IPP60R099C6XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3

库存:0

单价:

1+: ¥77.722246
10+: ¥70.232264
100+: ¥58.142482
500+: ¥54.440337

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