货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥32.656989 | ¥32.66 |
10 | ¥29.335437 | ¥293.35 |
100 | ¥24.035202 | ¥2403.52 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | E |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 180 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 86 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1920 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 227W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥21.73000 | 类似 |
FCB199N65S3 | onsemi | ¥20.58000 | 类似 |
AOB27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥32.26000 | 类似 |
SIHB22N60ET1-GE3
型号:SIHB22N60ET1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO263
库存:0
单价:
1+: | ¥32.656989 |
10+: | ¥29.335437 |
100+: | ¥24.035202 |
800+: | ¥20.460669 |
1600+: | ¥18.488609 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥32.66