- 制造商编号：
- TSM200N03DPQ33 RGG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
- 规格说明书：
- TSM200N03DPQ33 RGG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.468251 | ￥4.47 |
| 10 | ￥3.632734 | ￥36.33 |
| 100 | ￥2.47646 | ￥247.65 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 20 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 345pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 20W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PDFN（3x3） |
| 标准包装: | 5,000 |
TSM200N03DPQ33 RGG
型号：TSM200N03DPQ33 RGG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.468251 |
| 10+： | ￥3.632734 |
| 100+： | ￥2.47646 |
| 500+： | ￥1.857174 |
| 15000+： | ￥6.40273 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.47