货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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5000 | ¥3.22262 | ¥16113.10 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSIX-H |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 45 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 139A(Ta),80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.8 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 300µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 39 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3200 pF @ 22.5 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.67W(Ta),104W(Tc) |
工作温度: | 175°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-TSON Advance(3.1x3.1) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 5,000 |
TPN2R805PL,L1Q
型号:TPN2R805PL,L1Q
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON
库存:0
单价:
5000+: | ¥3.22262 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00