TPN2R805PL,L1Q

制造商编号:
TPN2R805PL,L1Q
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON
规格说明书:
TPN2R805PL,L1Q说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
5000 3.22262 16113.10

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSIX-H
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 139A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3200 pF @ 22.5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.67W(Ta),104W(Tc)
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-TSON Advance(3.1x3.1)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 5,000

客服

购物车

TPN2R805PL,L1Q

型号:TPN2R805PL,L1Q

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON

库存:0

单价:

5000+: ¥3.22262

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00