SI4134DY-T1-E3

制造商编号:
SI4134DY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
规格说明书:
SI4134DY-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.833149 7.83
10 6.932959 69.33
100 5.314978 531.50

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 846 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO4468 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.38000 类似
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated ¥3.69000 类似
IRL6342TRPBF Infineon Technologies ¥5.30000 类似
RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor ¥7.91000 类似
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated ¥4.38000 类似

客服

购物车

SI4134DY-T1-E3

型号:SI4134DY-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥7.833149
10+: ¥6.932959
100+: ¥5.314978
500+: ¥4.201527
1000+: ¥3.361217
2500+: ¥3.151139

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥7.83