库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | NXP(恩智浦) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 25 V |
| 漏源电压（Vdss）: | 25 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 24 mA @ 10 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 2 V @ 1 µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5pF @ 10V |
| 电阻 - RDS(On): | 50 Ohms |
| 功率 - 最大值: | 190 mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | 6-TSSOP |
| 标准包装: | 3,000 |
PMBFJ620,115
型号：PMBFJ620,115
品牌：NXP恩智浦
描述：JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP
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