S12JCHM6G

制造商编号:
S12JCHM6G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
规格说明书:
S12JCHM6G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 12 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 78pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VS-4ECH06-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥6.37000 类似
RS3JB-13-F Diodes Incorporated ¥4.84000 类似
RS3J-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥5.38000 类似
CMR5H-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥7.68000 类似
FR3J-TP Micro Commercial Co ¥4.76000 类似

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S12JCHM6G

型号:S12JCHM6G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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