库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.918379 | ￥5.92 |
| 10 | ￥5.213396 | ￥52.13 |
| 25 | ￥4.89634 | ￥122.41 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 32.4 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 353pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 2.3W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | 6-WSON（2x2） |
| 标准包装: | 3,000 |
CSD87502Q2
型号：CSD87502Q2
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.918379 |
| 10+： | ￥5.213396 |
| 25+： | ￥4.89634 |
| 100+： | ￥3.995155 |
| 250+： | ￥3.710575 |
| 500+： | ￥3.157903 |
| 1000+： | ￥2.606748 |
| 3000+： | ￥2.606748 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.92