货期: 8周-10周
封装: 剪切带(CT)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.943916 | ¥3.94 |
10 | ¥3.378545 | ¥33.79 |
100 | ¥2.524562 | ¥252.46 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 104 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 18 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 450 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 780mW(Ta),1.8W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 4-Microfoot |
封装/外壳: | 4-XFBGA,CSPBGA |
标准包装: | 3,000 |
SI8465DB-T2-E1
型号:SI8465DB-T2-E1
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
库存:0
单价:
1+: | ¥3.943916 |
10+: | ¥3.378545 |
100+: | ¥2.524562 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.94