PMGD280UN,115

制造商编号:
PMGD280UN,115
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
规格说明书:
PMGD280UN,115说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.38905 4.39
10 3.3036 33.04
100 2.055766 205.58

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 340 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 45pF @ 20V
功率 - 最大值: 400mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: 6-TSSOP
标准包装: 3,000

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PMGD280UN,115

型号:PMGD280UN,115

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP

库存:0

单价:

1+: ¥4.38905
10+: ¥3.3036
100+: ¥2.055766
500+: ¥1.406311
1000+: ¥1.081845
3000+: ¥0.97366
6000+: ¥0.919574

货期:1-2天

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