货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.38905 | ¥4.39 |
10 | ¥3.3036 | ¥33.04 |
100 | ¥2.055766 | ¥205.58 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | TrenchMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 870mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 340 毫欧 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.89nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 45pF @ 20V |
功率 - 最大值: | 400mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | 6-TSSOP |
标准包装: | 3,000 |
PMGD280UN,115
型号:PMGD280UN,115
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
库存:0
单价:
1+: | ¥4.38905 |
10+: | ¥3.3036 |
100+: | ¥2.055766 |
500+: | ¥1.406311 |
1000+: | ¥1.081845 |
3000+: | ¥0.97366 |
6000+: | ¥0.919574 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.39