IXFC22N60P

制造商编号:
IXFC22N60P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
规格说明书:
IXFC22N60P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, PolarHT™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 360 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 58 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 130W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS220™
封装/外壳: ISOPLUS220™
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCPF11N60 onsemi ¥18.35000 类似
IPA60R380C6XKSA1 Infineon Technologies ¥21.73000 类似
FCPF9N60NT onsemi ¥22.81000 类似
STF13N60M2 STMicroelectronics ¥15.13000 类似
FCPF380N60E Rochester Electronics, LLC ¥6.69460 类似

客服

购物车

IXFC22N60P

型号:IXFC22N60P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00