HP8M31TB1

制造商编号:
HP8M31TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
规格说明书:
HP8M31TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 19.263634 19.26
10 17.323592 173.24
100 13.926354 1392.64

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65mOhm @ 8.5A,10V,70mOhm @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.3nC @ 10V,38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 470pF @ 30V,2300pF @ 30V
功率 - 最大值: 3W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
标准包装: 2,500

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HP8M31TB1

型号:HP8M31TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

库存:0

单价:

1+: ¥19.263634
10+: ¥17.323592
100+: ¥13.926354
500+: ¥11.441823
1000+: ¥9.480284
2500+: ¥8.915666

货期:1-2天

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