货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥19.263634 | ¥19.26 |
10 | ¥17.323592 | ¥173.24 |
100 | ¥13.926354 | ¥1392.64 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.5A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 65mOhm @ 8.5A,10V,70mOhm @ 8.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12.3nC @ 10V,38nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 470pF @ 30V,2300pF @ 30V |
功率 - 最大值: | 3W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | 8-HSOP |
标准包装: | 2,500 |
HP8M31TB1
型号:HP8M31TB1
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
库存:0
单价:
1+: | ¥19.263634 |
10+: | ¥17.323592 |
100+: | ¥13.926354 |
500+: | ¥11.441823 |
1000+: | ¥9.480284 |
2500+: | ¥8.915666 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.26