MURT20010

制造商编号:
MURT20010
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
描述:
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
规格说明书:
MURT20010说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
80 997.756381 79820.51

规格参数

属性 参数值
制造商: GeneSiC(基因半导体公司)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阴极
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 200A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 100 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 50 V
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 三塔
供应商器件封装: 三塔
标准包装: 40

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MURT20010

型号:MURT20010

品牌:GeneSiC基因半导体公司

描述:DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

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