LTE-R38386S-S-U

制造商编号:
LTE-R38386S-S-U
制造商:
Lite-On光宝
描述:
EMITTER IR 850NM 1A SMD
规格说明书:
LTE-R38386S-S-U说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
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规格参数

属性 参数值
制造商: Lite-On(光宝)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
类型: 红外(IR)
电流 - DC 正向 (If)(最大值): 1A
不同 If 时最小辐射强度 (Ie): 320mW/sr @ 1A
波长: 850nm
电压 - 正向 (Vf)(典型值): 3V
视角: 90°
方向: 顶视图
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,无引线
标准包装: 600

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型号 品牌 参考价格 说明
VSMY98575ADS Vishay Semiconductor Opto Division ¥49.74000 类似

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型号:LTE-R38386S-S-U

品牌:Lite-On光宝

描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD

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