RFD16N05LSM9A

制造商编号:
RFD16N05LSM9A
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
规格说明书:
RFD16N05LSM9A说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 10.064964 10.06
10 8.999195 89.99
100 7.018688 701.87

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 @ 16A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated ¥5.07000 类似

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RFD16N05LSM9A

型号:RFD16N05LSM9A

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA

库存:0

单价:

1+: ¥10.064964
10+: ¥8.999195
100+: ¥7.018688
500+: ¥5.797761
1000+: ¥4.854641
2500+: ¥4.854607

货期:1-2天

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