库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.774491 | ￥4.77 |
| 10 | ￥3.533621 | ￥35.34 |
| 100 | ￥1.998572 | ￥199.86 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 235 毫欧 @ 800mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 55pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 150mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 标准包装: | 4,000 |
SSM6N56FE,LM
型号：SSM6N56FE,LM
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.774491 |
| 10+： | ￥3.533621 |
| 100+： | ￥1.998572 |
| 500+： | ￥1.323479 |
| 1000+： | ￥1.014666 |
| 2000+： | ￥0.882323 |
| 4000+： | ￥0.882323 |
| 8000+： | ￥0.794095 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.77