S8CJHM3/I

制造商编号:
S8CJHM3/I
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
规格说明书:
S8CJHM3/I说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
7000 3.623814 25366.70

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 985 mV @ 8 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 79pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,500

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S8CJHM3/I

型号:S8CJHM3/I

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

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