IDB10S60C

制造商编号:
IDB10S60C
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
规格说明书:
IDB10S60C说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolSiC™+
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 10 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 140 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 480pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STPSC806G-TR STMicroelectronics ¥35.17000 类似
SCS210AJTLL Rohm Semiconductor ¥37.17000 类似
C3D10060G Wolfspeed, Inc. ¥49.07000 类似
SICRB12650 SMC Diode Solutions ¥50.76000 类似

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型号:IDB10S60C

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

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