APT6011B2VRG

制造商编号:
APT6011B2VRG
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
规格说明书:
APT6011B2VRG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
30 231.703717 6951.11

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS V®
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 24.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 450 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8900 pF @ 25 V
FET 功能: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOK42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥52.53000 类似
STW34NM60N STMicroelectronics ¥77.49000 类似
IXFX48N60Q3 IXYS ¥196.37000 类似
IXFR64N60P IXYS ¥140.92000 类似
IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies ¥73.03000 类似

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APT6011B2VRG

型号:APT6011B2VRG

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

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