FDC654P

制造商编号:
FDC654P
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
规格说明书:
FDC654P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.532939 5.53
10 4.774491 47.74
100 3.567316 356.73

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 298 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7509TRPBF Infineon Technologies ¥7.30000 类似
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated ¥3.76000 类似
RRQ030P03TR Rohm Semiconductor ¥4.38000 类似

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FDC654P

型号:FDC654P

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6

库存:0

单价:

1+: ¥5.532939
10+: ¥4.774491
100+: ¥3.567316
500+: ¥2.802875
1000+: ¥2.165903
3000+: ¥2.026908

货期:1-2天

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