库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | NXP(恩智浦) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | LDMOS（双） |
| 频率: | 1.99GHz |
| 增益: | 18.2dB |
| 电压 - 测试: | 30 V |
| 额定电流（安培）: | - |
| 噪声系数: | - |
| 电流 - 测试: | 1.6 A |
| 功率 - 输出: | 74W |
| 电压 - 额定: | 65 V |
| 封装/外壳: | SOT-1110B |
| 供应商器件封装: | NI1230S-8 |
| 标准包装: | 150 |
MRF8S19260HSR6
型号：MRF8S19260HSR6
品牌：NXP恩智浦
描述：FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
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货期：1-2天
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