库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVI-H |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 26A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.4 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2900 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 700mW（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-TSON Advance（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | ¥12.06000 | 类似 |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.38000 | 类似 |
TPCC8005-H(TE12LQM
型号：TPCC8005-H(TE12LQM
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
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