- 制造商编号：
- IMW65R027M1HXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 规格说明书：
- IMW65R027M1HXKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥267.931 | ￥267.93 |
| 10 | ￥247.09731 | ￥2470.97 |
| 100 | ￥231.367103 | ￥23136.71 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 47A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 标准包装: | 30 |
IMW65R027M1HXKSA1
型号：IMW65R027M1HXKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存：0
单价：
| 1+： | ￥267.931 |
| 10+： | ￥247.09731 |
| 100+： | ￥231.367103 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥267.93