库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.280858 | ￥15.28 |
| 10 | ￥13.645843 | ￥136.46 |
| 25 | ￥12.952299 | ￥323.81 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14.3 毫欧 @ 4A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 662pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 6W |
| 工作温度: | 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-VSON（3.3x3.3） |
| 标准包装: | 250 |
CSD87333Q3DT
型号：CSD87333Q3DT
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.280858 |
| 10+： | ￥13.645843 |
| 25+： | ￥12.952299 |
| 100+： | ￥10.639406 |
| 250+： | ￥9.945414 |
| 500+： | ￥8.788843 |
| 1000+： | ￥7.636748 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.28