PHP101NQ03LT,127

制造商编号:
PHP101NQ03LT,127
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
规格说明书:
PHP101NQ03LT,127说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2180 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 166W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRLB8721PBF Infineon Technologies ¥9.52000 类似
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia USA Inc. ¥12.52000 类似
IRF3703PBF Infineon Technologies ¥30.49000 类似
IRLB8748PBF Infineon Technologies ¥9.60000 类似
IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies ¥13.06000 类似

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PHP101NQ03LT,127

型号:PHP101NQ03LT,127

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

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