库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.503057 | ￥27.50 |
| 10 | ￥24.67442 | ￥246.74 |
| 25 | ￥23.280119 | ￥582.00 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.9V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1860pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 12W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerLDFN |
| 供应商器件封装: | 8-LSON（5x6） |
| 标准包装: | 2,500 |
CSD87355Q5D
型号：CSD87355Q5D
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥27.503057 |
| 10+： | ￥24.67442 |
| 25+： | ￥23.280119 |
| 100+： | ￥19.835026 |
| 250+： | ￥18.624245 |
| 500+： | ￥16.296208 |
| 1000+： | ￥15.373774 |
| 2500+： | ￥15.373774 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.50