货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥26.931113 | ¥26.93 |
10 | ¥24.187024 | ¥241.87 |
100 | ¥19.437027 | ¥1943.70 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ K5 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.1 欧姆 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 100µA |
Vgs(最大值): | ±30V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
STD6N90K5
型号:STD6N90K5
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥26.931113 |
10+: | ¥24.187024 |
100+: | ¥19.437027 |
500+: | ¥15.969379 |
1000+: | ¥14.51761 |
2500+: | ¥14.51761 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.93