IXFR12N120P

制造商编号:
IXFR12N120P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
规格说明书:
IXFR12N120P说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS247™
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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IXFR12N120P

型号:IXFR12N120P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247

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