STP16N65M5

制造商编号:
STP16N65M5
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
规格说明书:
STP16N65M5说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 41.490904 41.49
10 37.282541 372.83
100 30.547906 3054.79

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ V
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 299 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1250 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 90W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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STP16N65M5

型号:STP16N65M5

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3

库存:0

单价:

1+: ¥41.490904
10+: ¥37.282541
100+: ¥30.547906
500+: ¥26.004698
1000+: ¥24.922389

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