MMDF3N03HDR2

制造商编号:
MMDF3N03HDR2
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4.1A 8-SOIC
规格说明书:
MMDF3N03HDR2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 630pF @ 24V
功率 - 最大值: 2W
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

客服

购物车

MMDF3N03HDR2

型号:MMDF3N03HDR2

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.1A 8-SOIC

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00