IXFN44N50Q

制造商编号:
IXFN44N50Q
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
规格说明书:
IXFN44N50Q说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Q Class
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
标准包装: 10

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IXFN44N50Q

型号:IXFN44N50Q

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

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