货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥131.385534 | ¥131.39 |
10 | ¥120.732451 | ¥1207.32 |
100 | ¥101.963231 | ¥10196.32 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Trench |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 360A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.9 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 3mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 525 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 33000 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1250W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-264AA(IXFK) |
封装/外壳: | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装: | 25 |
IXFK360N10T
型号:IXFK360N10T
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA
库存:0
单价:
1+: | ¥131.385534 |
10+: | ¥120.732451 |
100+: | ¥101.963231 |
500+: | ¥90.703366 |
1000+: | ¥85.301004 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥131.39