IXFK360N10T

制造商编号:
IXFK360N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA
规格说明书:
IXFK360N10T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 131.385534 131.39
10 120.732451 1207.32
100 101.963231 10196.32

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Trench
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 360A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 525 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

客服

购物车

IXFK360N10T

型号:IXFK360N10T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA

库存:0

单价:

1+: ¥131.385534
10+: ¥120.732451
100+: ¥101.963231
500+: ¥90.703366
1000+: ¥85.301004

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥131.39