ZXMN10A08DN8TA

制造商编号:
ZXMN10A08DN8TA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
规格说明书:
ZXMN10A08DN8TA说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.691065 8.69
10 7.763521 77.64
100 6.053781 605.38

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 405pF @ 50V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 500

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ZXMN10A08DN8TA

型号:ZXMN10A08DN8TA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥8.691065
10+: ¥7.763521
100+: ¥6.053781
500+: ¥5.001155
1000+: ¥3.94823

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