RJK1003DPN-A0#T2

制造商编号:
RJK1003DPN-A0#T2
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220ABA
规格说明书:
RJK1003DPN-A0#T2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 35.323772 35.32
10 31.749121 317.49
100 26.012147 2601.21

规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4150 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220ABA
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 25

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RJK1003DPN-A0#T2

型号:RJK1003DPN-A0#T2

品牌:Renesas瑞萨

描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220ABA

库存:0

单价:

1+: ¥35.323772
10+: ¥31.749121
100+: ¥26.012147
500+: ¥22.143268
1000+: ¥20.251513

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