US1DHE3/5AT

制造商编号:
US1DHE3/5AT
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
规格说明书:
US1DHE3/5AT说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 7,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
US1J-13-F Diodes Incorporated ¥3.61000 类似
S1D onsemi ¥3.46000 类似
ES1D-13-F Diodes Incorporated ¥3.92000 直接
CURA107-G Comchip Technology ¥3.30000 类似
GF1D onsemi ¥3.76000 类似

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US1DHE3/5AT

型号:US1DHE3/5AT

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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