1N5401G-T

制造商编号:
1N5401G-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
规格说明书:
1N5401G-T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.49937 3.50
10 2.854209 28.54
100 1.941638 194.16

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
标准包装: 1,200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5401G onsemi ¥3.38000 类似
GI501-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.22000 类似
1N5401RLG onsemi ¥3.61000 类似
1N5416 Microchip Technology ¥43.31000 类似
MR851RLG onsemi ¥0.50968 类似

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1N5401G-T

型号:1N5401G-T

品牌:Diodes美台

描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

库存:0

单价:

1+: ¥3.49937
10+: ¥2.854209
100+: ¥1.941638
500+: ¥1.455989
1200+: ¥1.091997
2400+: ¥1.000991
6000+: ¥0.940316
12000+: ¥0.921018

货期:1-2天

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