- 制造商编号：
- BSC0921NDIATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
- 规格说明书：
- BSC0921NDIATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.998495 | ￥19.00 |
| 10 | ￥17.082482 | ￥170.82 |
| 100 | ￥13.728899 | ￥1372.89 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17A，31A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1025pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | PG-TISON-8 |
| 标准包装: | 5,000 |
BSC0921NDIATMA1
型号：BSC0921NDIATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.998495 |
| 10+： | ￥17.082482 |
| 100+： | ￥13.728899 |
| 500+： | ￥11.279138 |
| 1000+： | ￥10.74212 |
| 5000+： | ￥10.74212 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.00