JAN1N4150-1

制造商编号:
JAN1N4150-1
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
规格说明书:
JAN1N4150-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
910 7.877549 7168.57

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/231
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 1

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JAN1N4150-1

型号:JAN1N4150-1

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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