STGP15H60DF

制造商编号:
STGP15H60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 30A 115W TO220
规格说明书:
STGP15H60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 20.813796 20.81
10 18.667762 186.68
100 15.000729 1500.07

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 115 W
开关能量: 136µJ(开),207µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 81 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 24.5ns/118ns
测试条件: 400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 103 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 50

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STGP15H60DF

型号:STGP15H60DF

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 30A 115W TO220

库存:0

单价:

1+: ¥20.813796
10+: ¥18.667762
100+: ¥15.000729
500+: ¥12.324304
1000+: ¥11.626793

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