货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥20.813796 | ¥20.81 |
10 | ¥18.667762 | ¥186.68 |
100 | ¥15.000729 | ¥1500.07 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 30 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 60 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,15A |
功率 - 最大值: | 115 W |
开关能量: | 136µJ(开),207µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 81 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 24.5ns/118ns |
测试条件: | 400V,15A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 103 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
供应商器件封装: | TO-220 |
标准包装: | 50 |
STGP15H60DF
型号:STGP15H60DF
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT 600V 30A 115W TO220
库存:0
单价:
1+: | ¥20.813796 |
10+: | ¥18.667762 |
100+: | ¥15.000729 |
500+: | ¥12.324304 |
1000+: | ¥11.626793 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.81