FDC638P

制造商编号:
FDC638P
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
规格说明书:
FDC638P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.852727 3.85
10 3.273678 32.74
100 2.445798 244.58

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 48 毫欧 @ 4.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
NTGS3443T1G onsemi ¥3.53000 类似

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型号:FDC638P

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

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