IRLB3813PBF

制造商编号:
IRLB3813PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
规格说明书:
IRLB3813PBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.7279 18.73
10 16.85055 168.51
100 13.542905 1354.29

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.95 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8420 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia USA Inc. ¥12.52000 类似
STP200N3LL STMicroelectronics ¥12.83000 类似

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IRLB3813PBF

型号:IRLB3813PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥18.7279
10+: ¥16.85055
100+: ¥13.542905
500+: ¥11.12704
1000+: ¥10.597267

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